NAOC Open IR
成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究
杨辉1; 张志勇2; 冯志伟2; 熊祝韵1; 曾体贤1
2017
Source Publication影像科学与光化学
ISSN1674-0475
Volume035Issue:002Pages:168
Abstract本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体。解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面。然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3mm^3的CdSe中红外波片初胚。以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理。结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2~20μm波段透过率较高(达到70%),满足中红外波片的应用需求。
Language英语
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.bao.ac.cn/handle/114a11/52198
Collection中国科学院国家天文台
Affiliation1.西华师范大学
2.中国科学院国家天文台
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GB/T 7714
杨辉,张志勇,冯志伟,等. 成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究[J]. 影像科学与光化学,2017,035(002):168.
APA 杨辉,张志勇,冯志伟,熊祝韵,&曾体贤.(2017).成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究.影像科学与光化学,035(002),168.
MLA 杨辉,et al."成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究".影像科学与光化学 035.002(2017):168.
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